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超越 DDR3：提高主内存目标
在下一代主流计算应用中，对丰富最终用户的体验和提升性能的需求不会中断。受多核计算、虚拟化和处理器集成趋势的驱动，业界需要的下一代的主内存解决方案需能够实现高达 3200Mbps 的数据率，且功率与目前 DDR3 1600MHz 内存解决方案相同或更低。这两种需求的分歧（即提升性能的同时降低功率）代表了未来内存系统设计商所要面临的困难。
另外，下一代内存解决方案面临潜在的瓶颈，即访问效率和容量，两者都随数据率的提高而降低。升级内存模块是提高系统容量的最常用方法。由于信号完整性会降低，因此在高数据率情况下会减少 DDR3 内存通道所支持的模块数量。1333MHz 使得该问题变得非常严重，导致大多数 DDR3 内存通道只能支持单个模块。这使得 DDR3 内存系统难以满足大多数服务器、工作站和高端 PC 的需求。由于接口和核心存取速度之间的差距，内存访问粒度随数据率的提高而备受影响。这样以来不仅会提升核心预取，还会使未来多核及图形计算应用的次优传输尺寸增加。
Rambus 创新技术，例如模块线程，可提供超越 DDR3 的内存系统所需的性能
为了解决这些难题，Rambus 已经宣布了一系列的创新技术，专注于高级的单端信令技术，以满足下一代计算应用对内存系统的需求。Rambus 的解决方案以现有的创新技术和设计为基础，如 FlexPhase™ 电路、FlexClocking™ 和动态点对点技术，以及最新推出的近地信令和模块线程化创新技术。将这些可供授权的创新技术综合使用，可以使未来的主内存系统达到双倍的数据传输率，与目前的 DDR3 解决方案相比，内存读取效率提高 50%，功耗降低 40%。