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极低摆幅差分信令
摘要
极低摆幅差分信令 (VLSD) 是以地面为参考的双向差分信令技术，能够提供高性能、低功率且经济有效的解决方案，以满足对带宽和功效有特别严格要求的应用。VLSD 信号是点对点的信号，使用 100mV 的超低信号摆幅（50 到 150mV）和 100mV 普通模式的电压，从而产生 200mV 的峰值间差分信号摆幅。该摆幅不足商业内存接口信令摆幅的 1/10。VLSD 具有高数据率，同时 IO 功耗又非常低。
商业和性能优势
- 通过差分信令所固有的稳固信令特性，VLSD 使内存系统能够高速运行。
- VLSD 通过使用以地面为参考的低电压摆幅信令系统，可在最大程度上降低活动 IO 功耗。
VLSD 是 Rambus 移动内存创新技术一个重要组成部分。Mobile Memory 创新技术推动着信令技术的发展，以满足未来的移动内存架构所需，能够以最佳电能效率为单个 DRAM 设备提供超过 17GB/s 的内存带宽。