Mobile XDR™ 内存架构
Mobile XDR™ 内存架构是世界上最快的高能效移动应用内存。 Mobile XDR 具有无以伦比的高能效,能够达到 2.2W/Gbps,并且能够实现每针脚 3.2-4.3Gbps 的数据传输率,因此,对于需要低能耗和高性能的下一代产品(智能手机、上网本以及移动游戏和多媒体产品),Mobile XDR 都是完美的内存解决方案。
未来的移动系统将受应用程序驱动(如高清视频捕获和编码以及 3D 游戏),而 Mobile XDR 内存仍可以满足这些移动系统不断增长的性能需求。此外,Mobile XDR 内存具有的高性能和无与伦比的高能效,能够为下一代移动产品提供更长的电池使用寿命。另外,Mobile XDR 架构还支持使用现有制造工艺和基础架构,这样就降低了成本并减少了风险,同时还缩短了上市时间。
Mobile XDR 内存架构使用最少的设备即可满足未来移动系统的宽带需求。每个 Mobile XDR DRAM 通过一台 4 字节宽的设备可提供 12.8-17GB/s 的宽带。

移动内存创新技术的产生
Mobile XDR 内存架构是以作为 Rambus 移动内存创新技术一部分而开发的革新技术为基础构建的,这些创新技术包括:
- 极低摆幅差分信令 (VLSD) - 结合差分架构稳固的信令质量和创新电路技术,大幅降低主动功耗。
- FlexClocking™ 架构 - 一种时脉前送和时脉分布拓扑,能实现高速运行并简化 DRAM 接口。
- 高级电源状态管理 (APSM) - 与 FlexClocking 架构结合,可在省电模式之间进行快速切换,并且在多种使用情况下优化能效。
除了 VLSD、FlexClocking 架构和 APSM 之外,Mobile XDR 架构还采用了 Rambus 的其他创新技术,例如:
- 微线程技术 - 可降低行和列的访问粒度,从而使处理小型数据对象的应用性能具有显著优势。
- FlexLink™ C/A - 使用单个、差分高速通信通道为 DRAM 提供命令和地址信息。
- 全差分内存架构 (FDMA) - 为高性能内存系统带来更快的速度、更低的噪声和更低的功耗。
- 动态点对点 (DPP) - 在保持高性能点对点信令的情况下,允许内存升级和扩充容量。

