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Mobile XDR™ 创新技术
Rambus Mobile XDR™ 架构纳入了最初作为移动内存创新技术一部分而开发的革新技术。这些创新技术支持高宽带和低功耗的 Mobile XDR 内存架构，并且包括：
- 极低摆幅差分信令 (VLSD) － 结合差分架构稳固的信令质量和创新电路技术，大幅降低主动功耗。使用地面参照电压模式驱动，VLSD 可在 200 毫伏的峰值差分电压摆幅和 100 毫伏的普通模式下实现高达 4.3Gbps 的数据传输率。
- FlexClocking 架构 －在此架构的拓扑中，时脉从中央 PLL 被前送并分布到控制器和 DRAM 设备。FlexClocking 架构使用 Rambus FlexPhase™ 技术来调整时脉与 DQ 信号之间的变异，从而实现高速运行，且无需 DRAM 设备上的 DLL 或 PLL。这样一来便简化了 DRAM 设计并降低了功耗。
- 高级电源状态管理 (APSY) － 依托 FlexClocking 架构并采用革新的电路设计技术进行构建。APSM 技术能够降低内存系统功耗、优化各运行模式的能效并为各种低功耗主动运行模式提供超快的转换时间。
除了 VLSD、FlexClocking 架构和 APSM 之外，Mobile XDR 架构还采用了 Rambus 的其他创新技术，例如：
- 微线程技术 － 可降低行和列的访问粒度，从而使处理小型数据对象的应用性能具有显著优势。
- FlexLink C/A － 使用单个、差分高速通信通道为 DRAM 提供命令和地址信息。
- 全差分内存架构 (FDMA) － 为高性能内存系统带来更快的速度、更低的噪声和更低的功耗。
- 动态点对点技术 (DPP) － 在保持高性能点对点信令的情况下，允许内存升级和扩充容量。