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Mobile XDR™ 内存与 LPDDR2 对比
移动内存的未来
移动 XDR™ 内存是屡获殊荣的 XDR 内存架构的最新一代产品。提供每针脚高达 4.3Gbps 的无以伦比的数据传输率，其能效高达 2.2mW/Gbps。 这使 Mobile XDR 内存成为了世界上最快的高能效移动内存解决方案。它每台设备提供的峰值带宽是 LPDDR2 DRAM 的四倍。
高性能，低能耗
Mobile XDR 内存解决方案提供难以置信的带宽性能，且达到这一性能所消耗的功耗远比 LPDDR2 内存低得多。事实上，在内存系统宽带相同的情况下，Mobile XDR 内存的能耗仅为 LPDDR2 接口的三分之一。节约的这些电量能够延长电池的使用时间，电池的使用时间最多可延长 1 小时。
移动内存创新技术的产生
Mobile XDR 内存通过主要的 Rambus 革新技术实现其功耗和性能的领导地位，其中有许多革新技术是通过 Rambus 的移动内存创新技术发展而来。与单端信令架构（如 LPDDR2）相比，由于首先采用了极低摆幅差分信令 (VLSD)，Mobile XDR 内存具有相对较低的电压摆幅。其他的创新技术包括 FlexClocking™ 架构（可极大地简化 DRAM 接口的设计）和高级电源状态管理 (APSM)（可为各种低功耗主动运行模式提供超快的转换时间）。
Mobile XDR 内存与 LPDDR2 对比
Rambus 移动内存革新技术与 Rambus 屡获殊荣的 XDR 内存架构创新技术的结合，使 Mobile XDR 内存与 LPDDR2 相比，具有更高的性能和更高的能效。下表以 LPDDR2 为基点说明了Mobile XDR 内存的主要优点。
