XDR™-DRAM

Das XDR™-DRAM-Bauelement von Rambus ist ein hochleistungsfähiges Speicherbauelement mit Datenübertragungsraten von 3,2 und 4,0 GHz. Für die Zukunft sind 4,8, 6,4 und 8,0 GHz geplant. Das XDR-DRAM-Bauelement wurde im Hinblick auf Bandbreite und kostensensitive Systeme wie Grafikverarbeitung, Unterhaltungselektronik, Netzwerke und Server konzipiert und ist eine wichtige Komponente der XDR-Speicherlösung von Rambus. Es verwendet einen DRAM-Core mit 8 Speicherbänken, der in eine standardmäßige CMOS-DRAM-Prozesstechnologie implementiert wurde und momentan mit Bitdichten von 256 und 512 MB produziert wird. Anders als andere DRAM-Bauelemente implementiert das x16 XDR-DRAM-Bauelement programmierbare Breite und unterstützt Datenbusse, die 8, 4 und in manchen Fällen 2 Bit breit sind. Mit dieser und vielen anderen Verbesserungen der Architektur weist das XDR-DRAM-Bauelement verglichen mit anderen Speichertechnologien eine deutlich höhere Effizienz und einen höheren Durchsatz auf. Die XDR-Speicherlösung gibt Produkten, die eine hohe Bandbreite erfordern, die Leistung, die sie benötigen, um in den anspruchsvollen Märkten von heute erfolgreich zu sein.