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Advanced Power State Management (APSM)
Zusammenfassung
Mobile Geräte und deren zugehörige Anwendungen erzeugen von Natur aus einen hohen Signalaufwand. Zur Bereitstellung einer erstklassigen Leistung und optimaler Energieeffizienz über alle Betriebsmodi muss eine Architektur mobiler Speicher schnell zwischen aktivem Zustand und Stillstand umschalten können.
Die zum Aufbau verwendete FlexClocking™-Architektur sowie die innovativen Techniken, z. B. Taktpausierung und „Advanced Power State Management“ (APSM), verringern den Stromverbrauch des Speichersystems und bieten extrem schnelle Schaltzeiten zwischen Energiesparmodi und aktiven Betriebsmodi.
Das geschieht durch synchrones „Pausieren“ der Taktverteilung genau an der Wurzel, wodurch Schaltungstakte im Controller und DRAM exakt ausgeschaltet werden. Wie im Bild dargestellt befindet sich die Wurzel der Verteilungsschaltung am Ausgang der Taktvervielfachung im PLL-Block.
Durch diesen Aufbau werden drei spannungsarme Zustände und ein aktiver Zustand unterstützt, die auf die Befehle vom Speicher-Controller reagieren. Diese Zustände werden weiter unten in der Tabelle beschrieben.
| P1 - Deep Power Down (Vollständig ausgeschaltet) | Es wird nur Fehlstrom verbraucht. |
| P2 - Power Down (Heruntergefahren) | Es ist nur die Taktvervielfachung eingeschaltet. |
| P3 - Idle (Ruhezustand) | Die Taktverteilung wird angehalten. |
| P4 - Active (Aktiv) | Die Speicher-Controller-Schnittstelle und die DRAM-Schnittstelle sind aktiv. |
Wirtschaftliche und technische Vorteile
- APSM ermöglicht schnelles Abschalten und Umschalten in die Energiesparmodi.
- APSM ermöglicht schnelles Umschalten aus den Energiesparmodi in den aktiven Modus, um die Systemansprechbarkeit zu maximieren.
- APSM liefert optimierten Stromverbrauch für alle Nutzungsprofile.
APSM ist ein Element der Entwicklungsinitiative für mobile Speicher von Rambus. Die Entwicklungsinitiative für mobile Speicher fördert die Entwicklung von Signalübertragungstechniken für zukünftige Architekturen mobiler Speicher, die mehr als 17 GB/s Speicherbandbreite bei erstklassiger Stromeffizienz des einzelnen DRAM-Bausteins bieten.