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Mobile XDR™-Innovationen

Die Mobile XDR™-Architektur von Rambus beinhaltet Innovationen, die im Rahmen der Entwicklungsinitiative für mobile Speicher entwickelt wurden. Zu den Innovationen, die die hohe Bandbreite und die herausragende Energieeffizienz der Mobile XDR-Speicherarchitektur ermöglichen, gehören die folgenden:

  • Differenzialsignalgebung mit sehr geringem Signalhub (Very Low-Swing Differential Signaling; VLSD) - Kombiniert die stabilen Signalgebungsqualitäten einer Differenzialarchitektur mit innovativen Schaltkreistechniken, um so den aktiven Stromverbrauch enorm zu verringern. Unter Einsatz eines massebezogenen Spannungsmodustreibers ermöglicht VLSD Datenübertragungsraten von bis zu 4,3 Gbps mit einem Differenzialspannungshub von nur 200 mV (Spitze-Spitze) und einem Common-Mode von 100 mV.

  • FlexClocking™-Architektur - Bei dieser Architektur handelt es sich um eine Topologie, bei der der Takt durch einen zentralen PLL sowohl an den Controller als auch an den DRAM-Baustein weitergeleitet und verteilt wird. Durch den Einsatz von FlexPhase™ zur Anpassung von eventuellen Abweichungen zwischen Takt- und DQ-Signalen ermöglicht die FlexClocking-Architektur den Hochgeschwindigkeitsbetrieb, ohne dass dafür ein DLL oder PLL auf dem DRAM-Baustein erforderlich ist. Hierdurch wird die DRAM-Gestaltung vereinfacht und der Stromverbrauch verringert.

  • Advanced Power State Management (APSM) - Basiert auf der FlexClocking-Architektur und innovativen Schaltungsaufbautechniken. Advanced Power State Management (APSM) verringert den Stromverbrauch des Speichersystems, optimiert die Energieeffizienz über die Betriebsmodi hinweg und bietet extrem schnelle Schaltzeiten zwischen verschiedenen Energiesparmodi und aktiven Betriebsmodi.
Very Low Swing Differential Signaling System Flexclocking Architecture with Advanced Power State Management

Neben VLSD, der FlexClocking-Architektur und APSM umfasst die Mobile XDR-Architektur die folgenden Rambus-Innovationen: