Initiative de mémoire mobile (Mobile Memory Initiative)

Miniaturisation des configurations, maximisation des performances

La technologie System-in-Package (SiP) regroupe un grand nombre de circuits intégrés, tels qu'un processeur média, une DRAM et une mémoire Flash, dans un seul module ou une seule configuration. Elle permet aux concepteurs de proposer des performances supérieures avec un encombrement réduit, ce qui fait de cette technologie la technologie idéale pour les téléphones portables. Malgré les incroyables avantages offerts, la technologie SiP est confrontée à un défi de taille : la difficulté de déterminer si les systèmes mémoire sont approuvés (KGD, known good die) avant l'assemblage du module SiP. Si ce n'est pas le cas, cela peut aboutir à de mauvais rendements de production et à une augmentation des coûts. Grâce aux innovations Rambus, dont la licence peut être concédée, la technologie SiPFLOW™ peut résoudre le problème de KGD et permet d'atteindre un rendement au montage de 100 pièces défectueuses par million de systèmes (DPPM). Cela signifie que les concepteurs peuvent accroître les performances des téléphones portables à un prix attractif pour le consommateur.

Pour une nouvelle génération de produits mobiles enrichis

Les consommateurs vont bientôt s'attendre à vivre, sur leurs appareils mobiles, l'expérience haute définition (HD) dont ils bénéficient chez eux. Celui-ci souhaitera également bénéficier de fonctions comme les enregistreurs vidéo en HD, les appareils photos numériques multimégapixels, les jeux en 3D et les applications Web enrichies. Ces appareils mobiles évolués seront capables d'encoder et de transmettre du contenu haute définition directement vers les téléviseurs HD, les ordinateurs personnels et les serveurs. Pour offrir toutes ces fonctionnalités dans un format suffisamment compact, léger et élégant, les concepteurs d'appareils mobiles doivent contourner des difficultés considérables. Parmi elles, on peut citer le développement d'une architecture mémoire haute performance qui devra répondre aux contraintes de consommation énergétique des produits fonctionnant sur batterie.

L'initiative de mémoire mobile (Mobile Memory Initiative) de Rambus se fonde sur les technologies de signalisation de mémoire très haut débit et de faible puissance capables de répondre aux besoins des futurs smartphones, netbooks ainsi que des consoles de jeux et des produits multimédias. Les technologies développées via l'initiative de mémoire mobile permettra aux futures architectures mémoire mobiles d'atteindre un débit de données de 4,3 gigabits par seconde (Gbits/s) avec une économie d’énergie la plus performante dans cette catégorie. Grâce à cette performance, les concepteurs pourraient réaliser plus de 17Gigaoctets/seconde de largeur de bande mémoire à partir d’un seul appareil à DRAM mobile.

Des innovations incroyables permettent d'atteindre les performances et la consommation énergétique voulues.

Pour parvenir à une solution d'interface mémoire à haut débit et à faible consommation énergétique, Rambus a développé des innovations clés comme les suivantes :

• Very Low-Swing Differential Signaling (VLSD) : ces signaux différentiels en très low-swing associent les qualités de signalisation robustes d’une architecture différentielle aux techniques innovantes de circuit pour réduire considérablement la consommation d’énergie active.


• L’architecture FlexClocking™ : topologie à transfert et à distribution d’horloge, qui permet de réaliser un fonctionnement à haute vitesse et une interface DRAM simplifiée.


• Advanced Power State Management (APSM) gestion avancée de l’énergie qui, combinée avec l’architecture FlexClocking, apporte un délai de bascule rapide entre les modes d’économie d’énergie et offre une économie d’énergie à un éventail varié de profils d’utilisation.

Ces·innovations et les autres développées par Rambus dans le cadre de son initiative de mémoire mobile serviront de base à une future architecture mémoire mobile qui proposera des performances accrues, une bande passante supérieure et un meilleur rendement énergétique.

Les signaux différentiels en très low-swing de Rambus associent les qualités de signalisation robustes d’une architecture différentielle, illustrée dans notre initiative basse consommation, aux techniques innovantes de circuit pour réduire considérablement la consommation d’énergie. Grâce à un récepteur en mode tension de terre de référence, la technologie VLSD autorise des débits de données allant jusqu'à 4,3 Gbits/s avec une variation de tension différentielle pic à pic de seulement 200 mV et un mode courant de 100 mV.

L'initiative de mémoire mobile de Rambus illustre également l'architecture FlexClocking. Cette architecture est une topologie dans laquelle l'horloge est transférée et distribuée au contrôleur et au dispositif de DRAM à partir d'un PLL central. En utilisant la technologie FlexPhase™ de Rambus pour régler les variations entre l'horloge et les signaux DQ, l'architecture FlexClocking autorise un fonctionnement haut débit sans qu'aucun DLL ni PLL ne soit nécessaire sur le dispositif DRAM. La conception de la DRAM est ainsi simplifiée et la consommation énergétique peut être réduite.

L'architecture FlexClocking™ autorise des performances élevées et une conception simplifiée de la DRAM mobile.

La troisième innovation reprise par l'initiative de mémoire mobile, la gestion avancée de l’énergie (Advanced Power State Management), repose sur l'architecture FlexClocking et sur des techniques innovantes de conception de circuit. La gestion avancée de l’énergie réduit la puissance·du système mémoire, optimise la consommation énergétique entre·les différents modes de traitement et assure des délais de transition ultrarapides entre les différents modes de traitement actifs et basse consommation.

Avec la technologie VLSD, l'architecture FlexClocking, la gestion avancée de l’énergie et les autres innovations qui seront développées dans le cadre de l'initiative de mémoire mobile, Rambus développe les technologies qui permettront d'atteindre des débits de 4,3 Gbits/s avec une consommation énergétique optimale. Grâce à cette performance, les concepteurs peuvent·réaliser plus de 17Gigaoctets/seconde de largeur de bande mémoire à partir d’un seul appareil à DRAM mobile. Grâce à l'initiative de mémoire mobile et aux solutions d'architecture qui en découlent, Rambus permet à ses clients de développer les solutions mémoire d'une·nouvelle génération de smartphones, consoles de jeux mobiles et autres produits multimédias mobiles qui contribueront à enrichir la vie des consommateurs dans le monde entier.

Les innovations de Rambus en termes de mémoire mobile

La génération actuelle de smartphones propose un large éventail de fonctionnalités, comme la messagerie, la navigation sur Internet, les jeux vidéo, la musique et les films. L'existence même de ces fonctions implique que des innovations assurent des performances supérieures et soient adaptées à l'environnement basse consommation des appareils mobiles fonctionnant sur batterie. Les solutions de mémoire mobile, comme la mémoire LPDDR, ne font pas exception à cette règle. De nombreuses innovations brevetées par Rambus, dont un grand nombre ont déjà fait leurs preuves au sein d'applications informatiques ou graphiques, permettent de développer des solutions basse consommation essentielles aux applications mobiles d'aujourd'hui et sont disponibles sous licence.