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Signalisation différentielle à très faible basculement
Résumé
La signalisation différentielle à très faible basculement (Very Low-Swing Differential Signaling, VLSD) est une technologie de signalisation différentielle bidirectionnelle référencée à la masse qui offre une solution basse consommation, hautes performances et économique pour les applications nécessitant une bande passante extrêmement large et une efficacité énergétique supérieure. Les signaux VLSD sont des signaux point-à-point utilisant un basculement de signal ultrabas de 100 mV (50 à 150 mV) et une tension de mode commun de 100 mV, soit un basculement de signal différentiel crête à crête de 200 mV. Ce basculement est inférieur au dixième de la valeur de basculement de signal des interfaces mémoire universelles. La signalisation VLSD permet des débits de données élevés avec une consommation d'énergie d'E/S très faible.
Avantages commerciaux et en termes de performances
- La signalisation VLSD permet un fonctionnement haut débit du système mémoire grâce aux caractéristiques de signalisation fiables de la signalisation différentielle.
- La signalisation VLSD minimise la consommation d'énergie E/S en mode actif grâce à l'utilisation d'un système de signalisation à basculement basse tension référencé à la masse.
La signalisation VLSD fait partie intégrante de l'initiative de mémoire mobile de Rambus. L'initiative de mémoire mobile est le moteur du développement des technologies de signalisation requises par les architectures de mémoire mobile à venir pour atteindre une bande passante mémoire de 17 Go/s à partir d'un seul dispositif DRAM, avec la meilleure efficacité énergétique de la catégorie.