Press Release

ラムバス社XDR™ DRAMメモリの出荷が2,500万個を達成

低コストの量産システムにかつてないパフォーマンスを実現するXDR™ DRAM

Los Altos, California, United States  - 06/11/2007  

*米国時間2007年6月11日にラムバス社より発表されたニュースリリースの抄訳です

半導体チップ間の高速インタフェイスを開発する技術ライセンス会社、ラムバス社（米国カリフォルニア州、NASDAQ:RMBS）は本日、同社の高バンド幅メモリ・インタフェイス技術のXDR™ DRAMメモリの出荷台数が2,500万個を達成したと発表しました。高バンド幅かつ低コストシステム向けに開発されたXDR DRAMとXDRメモリアーキテクチャは、マルチコア・プロセッサを搭載した新世代のコンピュータ・プラットフォーム向けだけではなく、グラフィックス処理やコンシューマ製品、ネットワーク機器やサーバアプリケーションにも理想的な技術です。XDR DRAMメモリは、株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメントのPLAYSTATION®3 (PS3™)で優れたパフォーマンスを支えるメモリ・ソリューションとして採用されています。

iSuppli Corporationのリサーチ・ディレクタ　ナム・キム氏は「XDRメモリ技術の根本的な発明はPS3で実現された優れたグラフィックス性能の鍵となる要素であり、将来的にはHDTVのようなグラフィックス性能が重要視されるアプリケーションに適しています」と述べています。

XDRメモリアーキテクチャでは、2バイト幅の4.0GHz XDR DRAMコンポーネント1つで最大8.0GB/秒のバンド幅を実現します。XDR DRAMはXDRメモリコントローラ（XMC）、XIOコントローラ・インタフェイスセル、XCG（XDRクロックジェネレータ）とシームレスに動作し、最小限のコンポーネント数ながら、かつてないほどのメモリ性能を発揮します。今後のロードマップ上では、8.0GHzで16.0GB/秒のバンド幅を実現する予定で、XDR DRAMは今日ある標準的なメモリより優れた性能を提供し続けます。

ラムバス社のセールス/ライセンシング/マーケティング担当 上級副社長 シャロン・ホルトは「市場は、マルチコア・プロセシングやその他の数値計算アプリケーションにおけるニーズを満たす、より高性能なメモリ・ソリューションを求めています。ラムバスは、技術サービスとXDRメモリアーキテクチャを提供することによって、お客様は、製品の高性能化かつすばやい市場投入を実現することができます。」と述べました。

XDRメモリアーキテクチャは、ラムバス社が特許を保有するキーテクノロジで、以下の4つの要素技術で構成されています。低電圧、低消費電力の差動ラムバス信号レベル（DRSL）; クロック1エッジあたり8ビット転送するオクタルデータレート技術（ODR）; クロック周波数にあわせてデータをチップ上で調整するFlexPhase™回路技術; 容量拡張の柔軟性を実現しつつ、データバスにおけるポイントツーポイント信号のシグナルインテグリティの利点を保つダイナミックポイントツーポイント技術（DPP）です。

ラムバスのソリューションは、低コストかつ量産システムですでに実績があり、チップ開発からシステム統合、低コスト化に至るまで包括的な技術サポートを提供しています。マイクロスレディングの適用に加え、8GHzで高速動作する次世代XDRメモリであるXDR2 DRAMを含むXDRメモリ技術の詳細は、www.rambus.co.jp/xdrをご覧下さい。XDR DRAMのライセンシーはエルピーダメモリ株式会社、Qimonda AG社、Samsung Electronics社などです。

注）

PLAYSTATIONは、株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメントの登録商標です。　PS3は、同社の商標です。 Rambusは、米国ラムバス社の登録商標です。　その他記載されている製品名、会社名は、ラムバス社もしくは保有各社の登録商標または商標です。