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DDR3 を超える: メインメモリロードマップの進化
次世代の主流コンピュータアプリケーションにおけるエンドユーザエクスペリエンスと性能の向上への要求は後を絶ちません。マルチコアコンピューティング、仮想化、そしてプロセッサ統合の傾向に押され、業界では現行の DDR3 1600MHz メモリソリューションと同等、もしくはそれ以下の電力エンベロープで 3200Mbps までのデータレートを実現する次世代メインメモリソリューションが必要とされています。性能を向上させながら消費電力を削減するというこの 2 つの要件は、未来のメモリシステム設計者にとって困難な課題を提示しています。
さらに、次世代メモリソリューションは、データレートが増大すると低下するアクセス効率と容量で障壁に直面する可能性があります。メモリモジュールのアップグレードはシステムで容量を増大させる最も一般的な方法です。DDR3 メモリチャンネルでサポートされるモジュールの数はシグナルインテグリティの低下によって高いデータレートで落ちています。この問題はとても深刻で、1333MHz までは DDR3 メモリチャンネルのほとんどが単一モジュールのみしかサポートできないのです。これにより、DDR3 メモリシステムはほとんどのサーバ、ワークステーション、そしてハイエンド PC において不適切となっています。またメモリアクセス粒度は、インターフェイスとコアアクセススピードのずれにより、データレートが向上するにつれ支障が生じます。結果として未来のマルチコアおよびグラフィックスコンピュータアプリケーションには、コアプリフェッチの増加および次善の転送サイズが必要になります。
モジュール スレッディングなどのラムバス社のイノベーションは DDR3 を超えるメモリ システムに必要な性能を提供することができます。
こうした課題に取り組むため、ラムバス社は次世代コンピュータアプリケーションのメモリシステム要件を満たすシングルエンド信号技術の進化に重点を置いたイノベーションを発表しました。ラムバス社のソリューションは、FlexPhase™ 回路、FlexClocking™ およびダイナミックポイントツーポイント技術などの既存のイノベーションおよびデザイン、そしてニアグラウンドシグナリングおよびモジュールスレッディングなど既存のイノベーションを基に開発されています。こうしたイノベーション (ライセンス供与可能) を組み合わせて使用すると、未来のメインメモリシステムでは現行モデルの DDR3 ソリューションの 2 倍のデータレート、50%増のメモリアクセス効率、40% 減の電力消費が実現できます。