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モバイル XDR™ メモリ・アーキテクチャ
モバイル XDR™ メモリ・アーキテクチャは、モバイル・アプリケーション向けの世界最速かつ最高効率のメモリです。 モバイル XDR は、前例のない 2.2 mW/Gbps の電力効率でピンごとに 3.2 から 4.3 Gbps の転送速度を実現し、次世代スマートフォン、ネットブック、携帯ゲーム機、そしてマルチメディア製品の低電力で高性能な要件を満たす理想的で完璧なメモリ・ソリューションです。
モバイル XDR メモリは、HD ビデオ・キャプチー、エンコーディングおよび 3D ゲームなどのアプリケーションによって加速される、将来のモバイル・システムの高性能化需要に応えることができます。 さらに、比類なき電力効率を有するモバイル XDR メモリの高い性能により、次世代モバイル製品の電池の長寿命化を実現できます。 加えて、モバイル XDR アーキテクチャは、コストを削減し、リスクを減らし、かつ製品化までの時間を加速する既存の製造工程とインフラストラクチャの活用を支援します。
モバイル XDR メモリ・アーキテクチャは、可能な限り最小のデバイス数で、将来のモバイル・システムのバンド幅要件を満たします。各モバイル XDR DRAM は、単一で 4 バイト幅デバイスから 12.8 から 17GB/秒 のバンド幅での配信を実現できます。
モバイル・メモリ・イニシアチブの誕生
モバイル XDR メモリのアーキテクチャは、次に示すラムバス社のモバイル・メモリ・イニシアチブの一部として開発された革新的な要素技術を基に形成されています。
- 極小振幅差動信号 (VLSD) - 差動アーキテクチャの強固な信号クオリティと画期的な回路技術を組み合わせて、有効電力消費を大幅に軽減します。
- FlexClocking™ アーキテクチャ - クロック転送およびクロック分配トポロジで、高速操作と DRAM インターフェイスの簡易化を実現します。
- 高度パワーステート・マネジメント (APSM) - FlexClocking アーキテクチャと連動して、電力セーブモード間の切り替え時間を短縮し、様々な使用形態で最適な電力効率を提供します。
モバイル XDR のアーキテクチャは、VLSD、FlexClocking アーキテクチャ、および APSM に加え、次のラムバス社の革新的な要素技術を搭載しています。
- マイクロ・スレッディング技術 - 行と列のアクセス粒度を細かくすることで、小さなデータ・オブジェクトを処理するアプリケーションの効率性に大幅な向上をもたらします。
- FlexLink™ C/A - 単一の高速差動通信チャンネルを使用して、DRAM へコマンドおよびアドレスの情報を提供します。
- 完全差動メモリ・アーキテクチャ (FDMA ) - 高性能メモリ・システムにおいて、高速化、低ノイズおよび低消費電力を実現します。
- ダイナミック・ポイン・トツー・ポイント (DPP) - 高性能のポイント・ツー・ポイント信号を維持すると同時に、メモリのアップグレードと容量の拡張を可能にします。