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モバイル XDR™ イノベーション
ラムバス社のモバイル XDR™ アーキテクチャには、モバイル・メモリ・イニシアチブの一部として世界で最初に開発された革新的な要素技術が組み込まれています。この革新的な要素技術には、高バンド幅で低電力のモバイル XDR メモリ・アーキテクチャを実現する、次の技術があります。
- 極小振幅差動信号 (VLSD) - 差動アーキテクチャの強固な信号クオリティと画期的な回路技術を組み合わせて有効電力消費を大幅に軽減します。VLSD は基底基準電圧モード・ドライバを使用し、たった 200mV のピーク・トゥ・ピーク差動電圧振幅および一般的な 100mV モードで、最大 4.3Gbps までのデータレートを実現します。
- FlexClocking™ アーキテクチャとは、クロックが中央 PLL からコントローラと DRAM デバイスの両方に転送され分配されるトポロジです。フレックス・クロッキング・アーキテクチャは、ラムバス社の FlexPhase™ 技術を使用してクロックおよび DQ 信号間に生じる変動を調節し、DRAM デバイスに DLL や PLL を必要とすることなく高速作動を実現します。これによって DRAM のデザインをシンプルにして電力消費を軽減します。
- 高度パワーステート・マネジメント (APSM) は、FlexClocking アーキテクチャや画期的な回路設計技術の基に構築されています。 高度パワーステート・マネジメント (APSM) は、メモリ・システムのパワーを削減し、すべての操作モードで最適な電力効率を提供します。また、様々な低電力操作モードとアクティブ操作モード間において超高速遷移時間を提供します。
モバイル XDR のアーキテクチャは、VLSD、FlexClocking アーキテクチャ、および APSM に加え、次のラムバス社の革新的な要素技術を搭載しています。
- マイクロ・スレッディング技術 - 行と列のアクセス粒度を細かくすることで、小さなデータオブジェクトを処理するアプリケーションの効率性に大幅な向上をもたらします。
- FlexLink™ C/A - 単一の高速差動通信チャンネルを使用して、DRAM へコマンドおよびアドレスの情報を提供します。
- 完全差動メモリ・アーキテクチャ (FDMA) - 高性能メモリシステムにおいて、高速化、低ノイズおよび低消費電力を実現します。
- ダイナミック・ポイン・トツー・ポイント (DPP) - 高性能のポイント・ツー・ポイント信号を維持すると同時に、メモリのアップグレードと容量の拡張を可能にします。