弊社をフォローする:
XDR™2 イノベーション
Rambus の XDR™2 メモリ アーキテクチャは、ラムバスの テラバイト バンド幅イニシアチブ (Terabyte Bandwidth Initiative) により開発された革新的な要素技術を最初に実装し、更に受賞実績のある XDR アーキテクチャが採用する主要技術のエンハンスト・バージョンを基に作られました。XDR 2 メモリに初めて実装された新技術には、32X データ レート、FDMA (Fully Differential Memory Architecture)、Enhanced FlexPhase™、Flexlink™ C/A、およびマイクロ・スレッディングがあります。
- 32X データレート - 1クロックサイクルにつき32ビットのデータを転送 - 現在のほとんどの DRAM 製品で使用される DDR（ダブルデータレート）技術の16倍に相当します。
- 完全差動メモリアーキテクチャ (FDMA) は、メモリコントローラと XDR 2 DRAM との全ての主要信号接続を差動信号により接続した、業界初実装のメモリアーキテクチャです。FDMA は高いデータ転送速度、低消費電力、そして高品質のシグナル・インテグリティが実現できます。
- Enhanced FlexPhase™ は、データおよびコマンド/アドレス信号に対して一定の位相関係を柔軟に保たせる機能を持ち、オンチップ上でクロックに対してデータの精密なアラインメントを取る回路技術です。 Enhanced FlexPhase は、従来の FlexPhase と比較して精度と感度が向上し、6.4Gbps 以上の高速データ転送が可能な高性能メモリ システムの構築が可能になります。
- Flexlink™ C/A は、業界初の差動フルスピード接続で且つスケーラブルなポイント・ ツー ・ポイント型のコマンド/アドレス チャンネルを実現した技術です。 各 FlexLink C/A リンクは、わずか 一対の差動ペアで構成する高速チャンネルを使用して DRAM にコマンド/アドレスの情報を提供します。これにより、拡張可能な容量と柔軟なアクセス粒度を実現しながらピンカウントの削減が可能になります。
- マイクロ・スレッディングは、高度なアプリケーション向けに開発されたデータ・アクセスの効率を向上させる技術です。 マイクロ・スレッディングは、従来の 8 バンク DRAM コアを 16 の独立したアドレス可能なバンクへと論理的に分割することで、使用できるバンド幅を増やします。16 バンクへの独立したアクセスは効果的に行と列の粒度を削減し、グラフィックやマルチコア・コンピューティング・ワークロードに対する性能が著しく向上します。