DDR3를 넘어서다: 메인 메모리 로드맵의 발전

차세대 메인스트림 컴퓨팅 응용 프로그램에서의 향상된 최종 사용자 환경 및 성능 제고에 대한 요구가 나날이 높아지고 있습니다. 멀티 코어 컴퓨팅, 가상화 및 프로세서가 통합되는 경향으로 인해 업계는 현재의 DDR3 1600MHz 메모리 솔루션의 소비 전력과 동일하거나 그보다 낮은 전력으로 최고 3200Mbps까지 데이터 전송 속도를 높일 수 있는 차세대 메인 메모리 솔루션을 원하고 있습니다. 성능을 향상시키는 동시에 소비 전력을 낮춰야 하는 이 상반된 두 가지 요구 사항은 향후의 메모리 시스템 설계자가 해결해야 할 난제입니다.

게다가 차세대 메모리 솔루션은 액세스 효율과 용량에 있어서 난관을 경험하게 될 것입니다. 데이터 전송 속도가 증가할수록 액세스 효율과 용량이 떨어지기 때문입니다. 시스템의 용량을 확대하는 가장 일반적인 방법은 메모리 모듈을 업그레이드하는 것입니다. 단, 높은 데이터 전송 속도에서는 신호 무결성이 떨어지기 때문에 DDR3 메모리 채널에서 지원되는 모듈의 수도 감소합니다. 이는 상당히 심각한 문제로 1333MHz의 데이터 전송 속도에서는 대부분의 DDR3 메모리 채널이 단 한 개의 모듈만을 지원할 수 있게 됩니다. 이러한 이유로 DDR3 메모리 시스템은 거의 모든 서버, 워크스테이션 및 고급 PC에는 적합하지 않습니다. 데이터 전송 속도가 올라갈수록 메모리 액세스 세분화에도 문제가 발생하는데 이는 인터페이스 속도와 코어 액세스 속도 간에 차이가 생기기 때문입니다. 이로 인해 향후의 멀티 코어 및 그래픽 컴퓨팅 응용 프로그램에서 코어 프리페치와 차선의 전송 크기가 커지게 됩니다.

모듈 스레딩과 같은 Rambus의 혁신 기술은 DDR3 이상의 메모리 시스템에 필요한 성능을 제공할 수 있습니다.

위와 같은 문제들을 해결하기 위해 Rambus는 차세대 컴퓨팅 응용 프로그램의 메모리 시스템 요구 사항을 충족할 수 있도록 단일 종단 신호 전달 기술을 향상하는 일련의 혁신 기술을 발표했습니다. Rambus의 솔루션은 FlexPhase™ 회로, FlexClocking™ 및 동적 Point-to-Point 기술 등 기존의 혁신 기술 및 설계와 NGC(Near Ground Signaling) 및 모듈 스레딩을 위해 새롭게 도입된 혁신 기술을 바탕으로 구축됩니다. 라이센싱이 가능한 이러한 혁신 기술을 조합하여 사용하면 현재의 DDR3 솔루션에 비해 두 배 빠른 데이터 전송 속도와 50% 향상된 액세스 효율, 40%의 전력 소비 절감 효과를 갖춘 메인 메모리 시스템을 실현할 수 있습니다.