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모바일 XDR™ 혁신 기술

Rambus 모바일 XDR™ 아키텍처는 모바일 메모리 이니셔티브의 일환으로 개발된 첫 혁신을 기반으로 합니다. 고대역폭 및 저전력을 가능케 하는 모바일 XDR 메모리 아키텍처의 혁신에는 다음과 같은 기술이 포함되어 있습니다.

  • VLSD(Very Low-Swing Differential Signaling)는 차등 아키텍처의 강력한 신호 전달 품질과 혁신적인 회로 기술을 조합하여 활성 소비 전력을 대폭 낮추는 기술입니다. VLSD는 접지 기준 전압 모드 드라이버를 사용하여 200mV의 최대 차등 전압과 100mV의 공통 전압으로 최고 4.3Gbps의 데이터 전송 속도를 실현합니다.

  • FlexClocking™ 아키텍처는 클록이 중앙 PLL로부터 컨트롤러와 DRAM 장치로 전달 및 배포되는 토폴로지입니다. FlexClocking 아키텍처는 Rambus FlexPhase™ 기술을 통해 클록과 DQ 신호 사이의 변동성을 조절하여 DRAM 장치에 DLL 또는 PLL을 배치할 필요 없이 고속 작동을 가능하게 합니다. 따라서 DRAM 설계가 간편해지며 전력 소비량도 낮아집니다.

  • APSM(Advanced Power State Management)은 FlexClocking 아키텍처와 혁신적인 회로 설계 기술을 바탕으로 합니다. APSM은 메모리 시스템이 소비하는 전력을 낮추고 작동 모드에서의 전력 효율을 최적화하며 다양한 저전력 모드 및 활성 작동 모드 간 전환에 소요되는 시간을 크게 단축합니다.
Very Low Swing Differential Signaling System Flexclocking Architecture with Advanced Power State Management

VLSD, FlexClocking 아키텍처 및 APSM과 더불어 모바일 XDR 아키텍처에는 다음과 같은 Rambus 혁신이 녹아 있습니다.

  • 마이크로스레딩 기술 - 로우 및 컬럼 액세스 세분화를 줄여 작은 데이터 오브젝트를 처리하는 응용 분야에서 큰 성능 이점을 얻을 수 있습니다.

  • FlexLink™ C/A - 단일 차등 고속 통신 채널을 사용하여 DRAM에 명령 및 주소 정보를 제공합니다.

  • FDMA(Fully Differential Memory Architecture) - 고성능 메모리 시스템에서 속도를 향상시키고 잡음 및 전력을 개선하는 효과를 제공합니다.

  • DPP(Dynamic Point-to-Point) - 고성능 Point-to-Point 신호 전달을 유지하면서 메모리 업그레이드 및 용량 확장이 가능합니다.