行動記憶體技術

高效能的輕薄尺寸封裝

系統級封裝﹝SiP﹞技術在單一封裝或模組上，提供多個整合電路－例如媒體處理器、DRAM 和快閃記憶體裝置。SiP 讓設計師能在非常有限的設計空間組裝高效能的行動電話。雖然它帶來了最佳性能，但 SiP 也面對必須在組合 SiP 前確定記憶體裝置是否屬有優質效能﹝KGD﹞的挑戰。它可導致成本大幅度提高和低製造產量。透過 Rambus 供授權的創新，如SiPFLOW™ 的技術可以解決 KGD 問題，以達到優於百萬分裝置﹝DPPM﹞中僅有 100 個缺陷裝置的組合產量。這表示設計師能以消費者會接受的價格訂造一個多效能的行動電話。

創造新一代的多元媒體行動產品

消費者將期望在每一天的生活中，從家裡客廳到所攜帶的行動裝置，都可體驗到高解析度﹝HD﹞。此外，他們也將希望擁有包含 HD 解決方案的錄影機、多百萬像素數位相機、3D 游戲、多元媒體網路應用程式 。這些進階行動裝置能夠編碼和直接傳輸高解析度內容到 HDTV、家庭 PC 和伺服器。同時，要將所有功能集合在輕薄而美觀的尺寸外形，並以吸引人的外觀提供，對行動裝置設計師而言無疑是巨大的挑戰。其中主要的挑戰是開發能夠應對電池操作產品的電力功率限制的高效能記憶體架構。

Rambus 行動記憶體技術開發高頻寬、低功耗記憶體訊號技術，符合新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機和媒體產品等需求。通過行動記憶體技術開發的技術，能夠以每秒 4.3 十億位元組 ﹝Gbps﹞ 的資料速率提供未來行動記憶體架構一流的電力功率。透過此性能，設計師能從單一的行動 DRAM 裝置實現超過每秒 17 十億位元組﹝GB/s﹞的記憶體頻寬。

突破性的創新能實現效能和電力效率

為了實現高頻寬、低功耗記憶體介面解決方案，Rambus 開發了突破性的創新，其中包括：

• 非常低摆幅差動訊號﹝VLSD﹞－ 結合強大訊號品質差異架構與創新的電路技術以大幅降低活躍耗電量；


• FlexClocking™ 架構 - 時脈前送和時脈分配的拓撲 ，提高運作速度並提供簡化的 DRAM 介面；以及


• 進階電源狀態管理﹝APSM﹞ 與 FlexClocking 架構一起運作，提供不同省電模式之間的快速轉換時間，並優化不同的使用檔案的電力功率。

Rambus 透過行動記憶體技術開發的創新，為未來行動記憶體架構提供了基礎，並提供了更高的效能、高頻寬和優越的電力功率。

Rambus 極低擺幅差分訊號結合強大訊號品質的差分架構﹝在我們的低功耗技術中體現﹞和創新的電路技術，從而盡量減少耗電量。VLSD 使用地面參考電壓模式驅動模式，以僅僅200mV 峰值電壓擺幅差分和 100mV 的共同模式，達到高達 4.3Gbps 的資料速率。

Rambus 行動記憶體技術還展示了 FlexClocking 架構。 FlexClocking 架構是一種拓撲時脈，其中時脈將從中央 PLL 轉發與分佈到 DRAM 裝置和控制器。使用 Rambus FlexPhase™ 技術以調整任何時脈與 DQ 訊號之間的變化及FlexClocking架構在不需要 DRAM 裝置上的 DLL 或 PLL 的情況下，實現高速運作。這大幅簡化了 DRAM 設計並減低耗電量。

FlexClocking™ 架構提供高效能並簡化行動 DRAM 設計

行動記憶體技術與進階電源狀態管理的第三個創新，是使用於FlexClocking架構和創新電路設計的技術。進階電源狀態管理﹝APSM﹞降低記憶體系統功耗、優化運作模式的電力功率、並在低功耗和活躍運作模式之間提供超快速轉換時間。

Rambus 在行動記憶體技術下開發的 VLSD、 FlexClocking 架構、APSM 和其他即將開發的創新，作為以 4.3Gbps 的資料傳輸速率提供最佳的電力功率的技術基礎。設計師能利用此高效能，從單一的行動 DRAM 裝置達到每秒 17GB/s 以上的記憶體頻寬。通過行動記憶體技術與架構解決方案，Rambus 可為其消費者開發新一代智慧型手機、可攜式遊戲機和可攜式媒體產品等記憶體解決方案，以豐富全世界消費者的生活。

在現今行動記憶體的 Rambus 創新

目前這一代的智慧型手機提供了豐富的功能，包括電子郵件、網頁瀏覽、遊戲、音樂和電影。要達到這些功能就必須具備提供卓越性能，並為低功耗環境的電池運作行動裝置而設的創新。這也包括行動記憶體解決方案，如 LPDDR 記憶體。許多 Rambus 專利創新，包括在許多在電腦和圖形應用程式裡經證實的創新，都提供現今行動應用程式所需的低功耗解決方案。此外這些解決方案也都可供授權。