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超越DDR3：發展主記憶體路線圖
對於豐富終端用戶的經驗與提高下一代主流運算應用程式的效能的需求是無限的。以多核心運算，虛擬化，與處理器整合方面的進展驅動了市場對下一代記憶體解決方案需求提升，目前DDR3 1600MHz 的記憶體解決方案，使其有效的達到高達 3200Mbps 的資料速率或低功耗。這兩個需求的分歧，提高性能，與其同時降低功耗，給未來記憶體系統設計師提出了一個困難的挑戰。
另外，下一代的記憶體解決方案將面對潛在效率與容量的的瓶頸，當日期率逐漸的增加，所面臨的瓶頸就越困難。記憶體模組升級最常見的方法就是增加系統容量。由於退化的訊號完整性，支援DDR3記憶體通道的單元模組以高資料速率下降。由 1333MHz 衍生的問題，使多數的 DDR3 記憶體通道只能支援單模組。這使 DDR3 記憶體系統不夠為多數伺服器，工作站和高端個人電腦使用。當介面和核心存取速度之間的資料速率提高，記憶體存取粒度也遭受影響。結果是對未來多核心和繪圖運算應用程式，增加核心預取和次優轉讓規模。
Rambus的創新如模組線程技術可以提供記憶體系統所需的效能，遠遠超越DDR3。
為了面對這些挑戰，Rambus 宣布一系列集中於進階單端訊號技術以符合記憶體系統對下一代運算應用程式的要求。Rambus 的解決方案以現有的創新與設計而成，比如：FlexPhase™ 電路，FlexClocking™和動態點對點技術，最新介紹的創新近地線訊號﹝Near Ground Signalling﹞和 模組線程技術。組合使用這些創新，可供授權，與目前的DDR3 解決方案相比，可使未來主記憶體系統達到雙資料速率，50% 的最高記憶體存取效率和 40% 低功耗。