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極低擺幅的差分訊號
摘要
極低擺幅的差分訊號 (VLSD) 是雙向、地線參考的差分訊號技術，它提供了高性能、低功耗、且符合成本效益的解決方案，非常適用於需要非凡的頻寬和卓越的電源效率的應用。VLSB 訊號是點對點與使用超低 100mV 訊號擺動﹝50 至 150mV﹞和 100mV 共同電壓模式，達到 200mV 峰對峰差分訊號。此擺幅是少於 1/10 商品記憶體介面的訊號擺幅。VLSD 能以極低的 IO 功耗率達到高資料速率。
商業和效能優勢
- VLSD 通過的強大訊號所固有的差分訊號，在記憶體系統實現高速運作。
- VLSD 通過使用地線參考低擺幅差分訊號系統，減低主動式IO功率消耗。
VLSD 是 Rambus 行動記憶體計劃的元件。行動記憶體技術推動未來行動記憶體架構所需的訊號交換技術。這些架構將能從單一的 DRAM 裝置傳送 17GB/s 以上的記憶體頻寬，並提供最佳的電力功率。