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行動 XDR™ 記憶體架構
行動 XDR™ 記憶體架構是世界最快和最具有功率效益的用於行動應用的記憶體。在每秒 2.2 毫瓦 (mW/Gbps) 的空前功率效益下，實現每個引腳每秒 3.2 至 4.3 千兆位元 (Gbps) 的資料傳輸速率，行動 XDR 是最完善的記憶體解決方案，也是具有低功率高效能需求之智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機和媒體產品的理想選擇。
行動 XDR 記憶體符合未來行動系統因為諸如 HD 視訊擷取和編碼，以及 3D 遊戲等所推動之不斷增加的效能要求。此外，行動 XDR 記憶體的高效能和無與倫比的功率效益也可以為下一代的行動產品提供延長的電池使用壽命。另外，行動 XDR 架構還支援使用現有的製造流程和架構，來降低成本、減少風險以及加速上市時間。
行動 XDR 記憶體架構透過利用可能的最少裝置數量，滿足未來行動系統的頻寬需求。每個行動 XDR DRAM 都可從一台 4 位元組寬的裝置，每秒提供 12.8 至 17 千兆位元組 (GB/s) 的頻寬。
行動記憶體計劃的誕生
行動 XDR 記憶體架構在作為 Rambus 的行動記憶體計劃之一部份來研發的創新技術基礎上建構，包括：
- 非常低摆幅差動訊號 (VLSD)－ 結合強大訊號品質差異架構與創新的電路技術以大幅降低活躍耗電量。
- FlexClocking™ 架構 - 時脈前送和時脈分配的拓撲 ，提高運作速度並提供簡化的 DRAM 介面。
- 進階電源狀態管理 (APSM) - 與 FlexClocking 架構一起運作，提供不同省電模式之間的快速轉換時間，並優化不同的使用檔案的功率效益。
除了 VLSD、FlexClocking 架構和 APSM 之外，行動 XDR 架構還提供下列 Rambus 創新技術：
- 微線程技術 - 減少列與欄的存取粒度，從而使處理較小資料對象的應用程式獲得優異效能。
- FlexLink™ C/A - 透過單一、差異高速通訊通道，提供指令和位址資料給 DRAM。
- 完全差動式記憶體架構 (FDMA) - 為高效能記憶體系統帶來更快速度、更少噪訊和更低的功耗。
- 動態點對點 (DPP) - 在保持高效能點對點訊號傳輸的情況下，允許記憶體升級和擴充容量。