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行動 XDR™ 創新技術
Rambus 行動 XDR™ 架構併入第一個作為行動記憶體計劃之一部份來研發的創新技術。該創新技術提供的高頻寬和低功耗之行動 XDR 記憶體架構包括：
- 非常低摆幅差動訊號 (VLSD) － 結合強大訊號品質差異架構與創新的電路技術以大幅降低活躍耗電量。VLSD 使用地面參考電壓模式驅動模式，以僅僅 200mV 峰值電壓擺幅差分和 100mV 的共同模式，達到高達 4.3Gbps 的資料傳輸速率。
- FlexClocking™ 架構是一種拓撲時脈，其中時脈將從中央 PLL 轉發與分佈到 DRAM 裝置和控制器。使用 Rambus FlexPhase™ 技術以調整任何時脈與 DQ 訊號之間的變化及FlexClocking架構在不需要 DRAM 裝置上的 DLL 或 PLL 的情況下，實現高速運作。這大幅簡化了 DRAM 設計並減低耗電量。
- 進階電源狀態管理 (APSM) 在 FlexClocking 架構和創新電路設計技術上建構。APSM 降低記憶體系統功耗、優化運作模式的電力功率、並在低功耗和活躍運作模式之間提供超快速轉換時間。
除了 VLSD、FlexClocking 架構和 APSM 之外，行動 XDR 架構還提供下列 Rambus 創新技術：
- 微線程技術 - 減少列與欄的存取粒度，從而使處理較小資料對象的應用程式獲得優異效能。
- FlexLink™ C/A - 透過單一、差異高速通訊通道，提供指令和位址資料給 DRAM。
- 完全差動式記憶體架構 (FDMA) - 為高效能記憶體系統帶來更快速度、更少噪訊和更低的功耗。
- 動態點對點 (DPP) - 在保持高效能點對點訊號傳輸的情況下，允許記憶體升級和擴充容量。