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行動 XDR™ 記憶體與 LPDDR2 的比較
行動記憶體的未來
行動 XDR™ 記憶體是XDR記憶體架構得獎系列中的最新一代技術。在每秒 2.2 毫瓦 (mW/Gbps) 的無與倫比之功率效益下，實現高達每個引腳每秒 4.3 千兆位元 (Gbps) 的行動裝置空前資料傳輸速率。此功能使行動 XDR 記憶體成為世界最快和最具有功率效益的行動記憶體解決方案。與 LPDDR2 DRAM 比較，它可提供每個裝置高出四倍的最高頻寬。
高效能、低功率
行動 XDR 記憶體解決方案提供傑出的頻寬效能， 而且使用得功率也比 LPDDR2 記憶體來得更低。事實上，行動 XDR 記憶體在相等的記憶體系統頻寬下，消耗的功率是 LPDDR2 介面的 1/3。此功率節省意味著可提高電池的使用壽命，能提供額外一小時的連續使用時間。
行動記憶體計劃的誕生
運用關鍵的 Rambus 創新技術，行動 XDR記憶體達到了卓越的節能和效能，而絕大多數都是透過 Rambus 的行動記憶體計劃研發而成。 首先採用非常低摆幅 (VLSD) 訊號的行動 XDR 記憶體，具有的電壓擺動比單端架構（如 LPDDR2）低。其他創新技術包括 FlexClocking™ 架構，可大幅簡化 DRAM 介面的設計，以及進階電源狀態管理 (APSM)，可在各種不同的低功率和活躍運作模式之間提供超快速轉換時間。
行動 XDR 記憶體與 LPDDR2 的比較
Rambus 行動記憶體計劃與 Rambus 得獎 XDR 記憶體架構之創新技術的結合，使行動 XDR 記憶體具備比 LPDDR2 更優異的效能和更佳的功率效益。下表闡明行動 XDR 記憶體比 LPDDR2 優越的主要優勢。
