追蹤我們的最新動態:
XIO 2控制器IO單元
XIO 2 單元
XIO 2單元適用於XDR™2 DRAM裝置的高效率及節能的控制器使用32倍資料速率信令技術，起始控制器的設計具有9.6Gbps的速度與高達20Gbps的可擴展性。每個XIO 2控制器元的記憶體通道可支援每個XDR 2 DRAM裝置高達51.2GB/s的持續頻寬。
XIO 2控制器可設定為多個記憶體通道，每一個通道支援一到四顆XDR 2裝置。這個高擴展性的架構為遊戲、圖形與多核心運算系統的高要求，提供了必要的頻寬和容量。
XIO 2控制器輸入輸出單元的每個巨集由4個差動要求﹝RQ﹞連接信號、一個控制時脈﹝CTL﹞信號與不同數量的8位元資料時脈﹝DQ﹞信號組成。 RQ連接信號為記憶體子系統提供了位址與控制資訊。CTL時脈信號執行暫存器存取、初始化、 維護與可測性等功能。每個DQ信號能以高達20Gbps的速率傳輸與接收資料。
增強FlexPhase™電路允許DQ連接信號上的任意單一腳位傳輸與接收資料相位以及RQ連接信號上的任意單一腳位傳輸相位，消除這些高速信號所需的線路長度匹配。由於採用了業界的首先的完全差動式記憶體架構﹝FDMA﹞，XIO 2元可使用超低電壓的差分Rambus信號準位﹝DRSL﹞全速執行RQ與DQ連接。整體來說，這些Rambus創新技術提供了改良的信號完整性與低功耗的兩大優點。
雙模式 XIO
雙模式 XIO 1/2 記憶體控制器已經過最佳化，可在卓越的功率效益下提供傑出的效能。雙模式 XIO1/2 記憶體控制器可支援 XDR 及 XDR 2 DRAM，功率效益比 GDDR5 記憶體控制器高 3.5 倍。 在 XDR 模式中，雙模式 XIO 控制器單元能夠以 3.2 至 7.2Gbps 的資料傳輸速率，將資料傳輸至 XDR DRAM。與 XDR 2 模式通訊時，雙模式 XIO 控制器單元能夠以 8-10Gbps 和更高的資料傳輸速率來傳輸資料。
雙模式 XIO1/2 控制器能夠升級來適應各種傳輸速率，同時不變地保持其卓越的功率效益。此令人震撼之功率效益與效能的結合，使 XDR 和 XDR 2 記憶體結構成為多核心運算、圖形、遊戲以及消費電子產品的卓越解決方案。