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内存接口芯片

DDR4 数据缓冲器

我们最近从 Inphi 收购的 DDR4 数据缓冲器旨在为实时内存密集型应用提供强大的性能,实现领先的 I/O 性能和裕度。该数据缓冲器兼容 DDR4 LRDIMM,是高性能、大容量企业和数据中心系统的理想选择。

DDR4 数据缓冲器工作原理

对于解决当今庞大数据集的复杂问题和加快大数据应用的速度而言,提升内存容量和性能至关重要。

结合我们的 DDR4 寄存器时钟驱动器 (RCD) iDDR4RCD-GS02 使用时,我们最近从 Inphi 收购的 DDR4 数据缓冲器 (DB) iDDR4DB2-GS02 可使 DDR4 低负载双列直插内存模块 (LRDIMM) 提供高带宽性能,容量是 DDR4 带寄存器 DIMM (RDIMM) 的两倍。

该数据缓冲器旨在满足实时内存密集型应用的苛刻要求,速度达到 2400 Mbps,提升了性能和裕度,同时为未来数据速率达到 2666 Mbps 提供支持。当内存信道采用多个 LRDIMM 以达到最大系统容量时,这可以实现最高速度和稳健运行。

带有差分选通的 iDDR4DB2-GS02 双 4 位双向数据寄存器专为 1.2V VDD 运行而设计。该设备配有连接到内存控制器的双 4 位主机总线接口和连接到两个 x4 DRAM 的双 4 位 DRAM 接口。还配有连接到 DDR4 寄存器的纯输入控制总线接口。该接口包含一个 4 位控制总线、两个专用控制信号、一路参考电压输入和一路差分时钟输入。

所有 DQ 输入均为带有内部参考电压的伪差分输入。所有 DQ 输出均为经过优化的 VDD 端接驱动器,可以驱动 DDR4 LRDIMM 应用中的单端或双端传输线。差分 DQS 选通用于 DQ 输入采样,并在 DDR4 数据缓冲器中再生,驱动设备另一侧的 DQ 输出。

时钟输入 BCK_t 和 BCK_c 用于控制输入 BCOM[3:0]、BCKE 和 BODT 的采样。BCOM[3:0] 输入用于写入设备内部控制寄存器。

iDDR4DB2-GS02 还支持 ZQ 校准和奇偶校验错误警报专用的引脚。

High Speed Memory Interface Chipsets Let Server Performance Fly

高速内存接口芯片组让服务器性能腾飞

对服务器性能的需求持续飙升。在摩尔定律的影响开始放缓之际,对支持当今云服务和高级分析工具的大型内存数据库提出了新的要求。高速服务器内存接口芯片组迎来了重要的新机遇,可以在不影响内存容量的情况下实现高速内存性能。希望优化服务器内存架构设计并提高整体服务器性能和可靠性的企业应认真考虑优化的 DDR4 内存接口芯片组,提升服务器内存模块的性能。

解决方案产品

  • 符合或超过 DDR4-2400 运行的所有 JESD79-4 性能规范
  • 可搭配 RCD 用于 LRDIMM
  • 2V Vdd 电源
  • 运行速度高达 2666 Mbps
  • 高级系统内调试功能
  • 广泛的温度范围:-5° C – 125° C
  • 符合 ROHS
  • 高性能 DDR4 服务器
  • 高性能工作站
  • 大容量存储系统
  • 高可靠性电信系统
  • DDR4 JEDEC 标准 LRDIMM 设计,结合 DDR4 RCD iDDR4RCD-GS02 使用

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