该数据缓冲器旨在满足实时内存密集型应用的苛刻要求,速度达到 2400 Mbps,提升了性能和裕度,同时为未来数据速率达到 2666 Mbps 提供支持。当内存信道采用多个 LRDIMM 以达到最大系统容量时,这可以实现最高速度和稳健运行。
带有差分选通的 iDDR4DB2-GS02 双 4 位双向数据寄存器专为 1.2V VDD 运行而设计。该设备配有连接到内存控制器的双 4 位主机总线接口和连接到两个 x4 DRAM 的双 4 位 DRAM 接口。还配有连接到 DDR4 寄存器的纯输入控制总线接口。该接口包含一个 4 位控制总线、两个专用控制信号、一路参考电压输入和一路差分时钟输入。
所有 DQ 输入均为带有内部参考电压的伪差分输入。所有 DQ 输出均为经过优化的 VDD 端接驱动器,可以驱动 DDR4 LRDIMM 应用中的单端或双端传输线。差分 DQS 选通用于 DQ 输入采样,并在 DDR4 数据缓冲器中再生,驱动设备另一侧的 DQ 输出。
时钟输入 BCK_t 和 BCK_c 用于控制输入 BCOM[3:0]、BCKE 和 BODT 的采样。BCOM[3:0] 输入用于写入设备内部控制寄存器。
iDDR4DB2-GS02 还支持 ZQ 校准和奇偶校验错误警报专用的引脚。