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接口 IP

GDDR6 PHY

GDDR6 PHY 专为性能和功率效率而设计,支持大数据分析、加密挖掘、ADAS、AI、机器学习和深度学习。

GDDR6 PHY 工作原理

Rambus GDDR6(图像处理双倍数据速率)内存 PHY 支持高速、高带宽 GDDR6 SGRAM(同步图像处理随机存取)内存之间的通信。最初为图像处理应用设计的 GDDR6 是一款高性能内存解决方案,可用于需要大量数据计算的各种高性能应用,如人工智能 (AI)、加密挖掘、深度学习、自动驾驶汽车和高速网络。

GDDR6 Memory Interface Subsystem
GDDR6 Memory Interface Subsystem

Rambus GDDR6 PHY 将完全符合 JEDEC GDDR6 (JESD250) 标准,每个引脚的速度高达 16 Gbps,可用于 TSMC 7nm 工艺。GDDR6 接口支持 2 个信道,每个信道有 16 位,总数据宽度为 32 位。Rambus GDDR6 PHY 每个引脚的速度高达 16 Gbps,最高可提供 64 GB/s 的带宽。此 PHY 将用于高级 FinFET 节点,实现领先的客户集成。IP 核采用的 Rambus 系统感知设计方法提供了以客户为中心的体验,缩短了上市时间,提高了一次性成功的质量。Rambus 提供灵活的 IP 核交付,并将直接与客户合作,提供完整的系统信号与电源完整性分析,优化了芯片布局。最后,客户获得包含一整套测试软件的硬核解决方案,进行快速启动、符合标准的测试和调试。

Going Beyond GPUs with GDDR6

配有 GDDR6 的 Going Beyond GPU

在 Micron Technology、SK Hynix 和 Samsung 的支持下,GDDR6 SGRAM 的最大数据传输速率将达到 16 Gbps,工作电压为 1.35V。相比上一代图像处理内存,GDDR6 的密度更高。此外,GDDR6 的速度比 GDDR5 (12–16 Gb/s) 提高了一倍,是 DDR4 (3.2 Gb/s) 的 5 倍以上。尽管最初面向游戏机和计算机图像处理,但最新版的 GDDR 预计可以跨多个行业部署,其中 Micron 尤其侧重于数据中心和汽车领域。

解决方案产品

  • 符合 JESD250 标准
  • 可用于 TSMC 7nm 工艺
  • 灵活交付 IP 核:符合 ASIC/ SoC 布局要求
  • 速度箱:12 Gbps、14 Gbps、16 Gbps
  • 2 个信道
  • 支持 GDDR6 SGRAM
  • DFI 3.1 式接口,易于与内存控制器集成
  • 内存控制器或 PHY 可以是 ASIC 接口主机(PHY 独立模式)
  • 可选择低功耗运行状态
  • 可编程驱动器/端接阻抗值
  • 驱动器/端接阻抗校准
  • 内置测试支持
  • 采用 13 层金属堆栈
  • 状态观察寄存器接口
  • LabStation™ 软件环境,适于进行系统级启动、符合标准的测试和验证
  • 经过全面符合标准测试的硬核 (GDSII)
  • 完整的设计视图:
    • 门级模型和 IO 模型
    • 布局摘要(.lef)
    • 时序模型(.lib)
    • Verilog 行为模型
    • CDL 网表(.cdl)
    • GDSII 布局
    • DRC 和 LVS 报告
  • 完整文件:
    • 数据表
    • 封装设计指南
    • ASIC/DFT 制造指南
    • 测试和符合标准的测试用户指南

全面的芯片和系统设计审查

  • 启动/项目审查
  • 平面图审查
  • 测试/符合标准的测试计划审查
  • 封装设计审查
  • 电路板设计审查
  • 最终芯片集成审查
  • 启动和测试审查
 

工程设计服务:

  • 封装设计
  • 系统板布局
  • 基于统计的信号与电源完整性分析
The Rambus GDDR6 PHY IP Core thumbnail

Rambus GDDR6 PHY IP 核

符合 JEDEC 标准的 Rambus GDDR6 PHY IP 核针对需要低延迟和高带宽 GDDR6 内存解决方案的系统进行了优化。该 PHY 接口可用于领先的 FinFET 工艺节点,支持两个独立信道,每个信道支持 16 位,总数据宽度为 32 位。此外,PHY 每个引脚的速度高达 16Gbps,最高可提供 64 GB/s 的带宽。

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