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DDR3 隔离式内存缓冲器
最近从 Inphi 收购的 DDR3 隔离式内存缓冲器专为功耗、性能和容量经过优化的服务器设计，是适用于 DDR3 LRDIMM 的 JEDEC 标准芯片。
解决方案概述DDR3 LRDIMM 内存缓冲器工作原理
最近从 Inphi 收购的低负载 DIMM (LRDIMM) 内存缓冲器 (MB) iMB02-GS02B 支持 DDR3 SDRAM 主内存。该内存缓冲器可以缓冲内存流量，支持大内存容量。与只缓冲命令、地址、控制和时钟的 DDR3 寄存器缓冲器 (INSSTE32882) 不同，LRDIMM 内存缓冲器还可以缓冲内存控制器和 DRAM 组件之间的数据 (DQ) 接口。随着内存控制器接口数据电气负载的减少，系统现在能够以更快的速度和更高的密度支持每个信道使用更多 DIMM。DRAM 的所有内存控制都在主机内进行，包括内存请求启动、时序、刷洗、备用和电源管理。内存缓冲器接口负责处理与本地 DIMM 之间的内存请求。
LRDIMM 为 DDR3 主内存系统提供了高内存带宽、大容量信道解决方案。LRDIMM 使用与 DIMM 上内存缓冲器后面的信道隔离的标准型 DRAM。每个信道支持超过 144 个设备（取决于信道和各系统设计），总内存容量随 DRAM 位密度而扩展。
解决方案产品
特点
应用
特点
- JEDEC 标准尺寸
- DDR3 上更高的系统内存带宽可加速至 1866 MT/s。这一点是通过将主机内存控制器数据、控制和时钟信号驱动器与低负载 DIMM (LRDIMM) 上的 DRAM 组件隔离实现的。
- iMB02-GS02B 符合 LRDIMM 内存缓冲器运行的所有 JEDEC 规范，速度高达 DDR3-1866 和 DDR3L-1600。
- iMB02-GS02BL 符合 LRDIMM 内存缓冲器运行的所有 JEDEC 规范，最高可达 DDR3-1600 和 DDR3L-1600。
- 使用内存区块倍增功能提高容量：iMBTM 和 DRAM 接口支持 2、4 或 8 个内存区块
- LRDIMM 与现有的 DDR3 连接器接口兼容，因此当前和即将推出的 DDR3 服务器系统无需更换主板
- 符合 JEDEC 882 控制字定义的可编程配置接口
- 使用改进的电源管理控制功能优化功耗
- 使用集成 PLL 和时钟分布缓冲器改进时钟规格，从一路差分时钟输入到四路差分时钟输出，可配置用于偏差和驱动强度输出控制
- 优化数据组和相应选通信号的偏差，提高主机和 DRAM 接口的裕度。72 位双向数据缓冲器与 18 位差分双向 DQS 缓冲器匹配
- 使用 JEDEC 定义的倒装芯片 BGA 封装进行高效的热管理。使用命令和地址输出的副本提高信号完整性
- 可用于符合 RoHS 标准的 588 球 FBGA 环保封装（20 x 38 阵列，主体尺寸 25.2 mm x 13.5 mm，间距 0.65 mm，MO-301A 变体 A）
应用
- 面向企业应用的大容量虚拟化服务器
- 功耗、性能和容量经过优化的服务器，适用于数据中心
- 高性能计算系统（如 FAE、O&G 和国防实验室）
- 适用于可视化和图像处理密集型应用的高性能工作站
- 中小型企业使用的经济型服务器
