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解决方案概述DDR3 LRDIMM 内存缓冲器工作原理
最近从 Inphi 收购的低负载 DIMM (LRDIMM) 内存缓冲器 (MB) iMB02-GS02B 支持 DDR3 SDRAM 主内存。该内存缓冲器可以缓冲内存流量，支持大内存容量。与只缓冲命令、地址、控制和时钟的 DDR3 寄存器缓冲器 (INSSTE32882) 不同，LRDIMM 内存缓冲器还可以缓冲内存控制器和 DRAM 组件之间的数据 (DQ) 接口。随着内存控制器接口数据电气负载的减少，系统现在能够以更快的速度和更高的密度支持每个信道使用更多 DIMM。DRAM 的所有内存控制都在主机内进行，包括内存请求启动、时序、刷洗、备用和电源管理。内存缓冲器接口负责处理与本地 DIMM 之间的内存请求。
LRDIMM 为 DDR3 主内存系统提供了高内存带宽、大容量信道解决方案。LRDIMM 使用与 DIMM 上内存缓冲器后面的信道隔离的标准型 DRAM。每个信道支持超过 144 个设备（取决于信道和各系统设计），总内存容量随 DRAM 位密度而扩展。
高速内存接口芯片组让服务器性能腾飞
对服务器性能的需求持续飙升。在摩尔定律的影响开始放缓之际，对支持当今云服务和高级分析工具的大型内存数据库提出了新的要求。高速服务器内存接口芯片组迎来了重要的新机遇，可以在不影响内存容量的情况下实现高速内存性能。希望优化服务器内存架构设计并提高整体服务器性能和可靠性的企业应认真考虑优化的 DDR4 内存接口芯片组，提升服务器内存模块的性能。
解决方案产品
- JEDEC 标准尺寸
- DDR3 上更高的系统内存带宽可加速至 1866 MT/s。这一点是通过将主机内存控制器数据、控制和时钟信号驱动器与低负载 DIMM (LRDIMM) 上的 DRAM 组件隔离实现的。
- iMB02-GS02B 符合 LRDIMM 内存缓冲器运行的所有 JEDEC 规范，速度高达 DDR3-1866 和 DDR3L-1600。
- iMB02-GS02BL 符合 LRDIMM 内存缓冲器运行的所有 JEDEC 规范，最高可达 DDR3-1600 和 DDR3L-1600。
- 使用内存区块倍增功能提高容量：iMBTM 和 DRAM 接口支持 2、4 或 8 个内存区块
- LRDIMM 与现有的 DDR3 连接器接口兼容，因此当前和即将推出的 DDR3 服务器系统无需更换主板
- 符合 JEDEC 882 控制字定义的可编程配置接口
- 使用改进的电源管理控制功能优化功耗
- 使用集成 PLL 和时钟分布缓冲器改进时钟规格，从一路差分时钟输入到四路差分时钟输出，可配置用于偏差和驱动强度输出控制
- 优化数据组和相应选通信号的偏差，提高主机和 DRAM 接口的裕度。72 位双向数据缓冲器与 18 位差分双向 DQS 缓冲器匹配
- 使用 JEDEC 定义的倒装芯片 BGA 封装进行高效的热管理。使用命令和地址输出的副本提高信号完整性
- 可用于符合 RoHS 标准的 588 球 FBGA 环保封装（20 x 38 阵列，主体尺寸 25.2 mm x 13.5 mm，间距 0.65 mm，MO-301A 变体 A）
- 面向企业应用的大容量虚拟化服务器
- 功耗、性能和容量经过优化的服务器，适用于数据中心
- 高性能计算系统（如 FAE、O&G 和国防实验室）
- 适用于可视化和图像处理密集型应用的高性能工作站
- 中小型企业使用的经济型服务器
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