HBM 控制器 IP

提供超高带宽低延迟的内存性能

HBM 内存控制器 IP

Rambus 的高带宽内存 (HBM) 3.0 和 2E/2 控制器 IP 为人工智能/机器学习、图形和 HPC 应用提供高带宽低延迟的内存性能。

版本 最高数据速率 (Gb/s) 控制器
HBM3 9.6 下载 HBM3 产品简介 产品简介
HBM2E/2 3.6/2.0 下载 HBM3 产品简介 产品简介

HBM3 和 HBM2E 控制器 IP

特点 HBM3
产品简介
HBM2E/2
产品简介
速度箱 (Gb/s) 高达 9.6 高达 3.6/2.0
通道密度 (Gb) 高达 32 高达 24
通道/伪通道 16/32 8/16
DRAM 堆栈 高达 16 高达 12
PHY 接口 DFI 样式 DFI 样式
PHY 独立模式
刷新管理支持  
前视命令处理
实现最低延迟
集成重排序功能 附加核心
自刷新和断电
低功耗模式
RAS 功能
内置活动监控器
兼容 DFI
端到端数据奇偶校验
逻辑接口 原生或 AXI 原生或 AXI

HBM3 内存:向更高的带宽突破

HBM3E Memory: Break Through to Greater Bandwidth

人工智能/机器学习总是渴求更高的带宽,推动计算硬件和软件的每个方面迅速改进。要满足 AI/ML 训练对高带宽的要求,HBM 内存可作为理想的解决方案,但由于其 2.5D 架构,在设计上还需要考虑更多。现在新一代 HBM 呼之欲出,它会将内存和容量提升到新的高度。设计人员可以使用 Rambus 的 HBM3 就绪内存子系统解决方案实现全新的性能水平。 

HBM3 内存子系统

HBM 是高性能内存标准,外形紧凑,功耗较低。它将 2.5D/3D 架构与以较低时钟速度(相较于 GDDR6)运行的更宽接口组合使用,为人工智能/机器学习和高性能计算 (HPC) 应用提供更高的总体吞吐量,并带来更高的每瓦特带宽效率。 

HBM3E Memory Subsystem Example
HBM3E Memory Subsystem Example

Rambus HBM 内存控制器支持每数据引脚高达 9.6 Gb/s 的数据速率 (HBM3)。凭借其 1024 位接口和这一最高数据速率,它可以实现 1.23 TB/s 的内存吞吐量。

Rambus HBM 控制器可以与第三方或客户 PHY 解决方案配合使用。

HBM3 and GDDR6: Memory Solutions for AI

HBM3E and GDDR6: Memory Solutions for AI

AI/ML changes everything, impacting every industry and touching the lives of everyone. With AI training sets growing at a pace of 10X per year, memory bandwidth is a critical area of focus as we move into the next era of computing and enable this continued growth. AI training and inference have unique feature requirements that can be served by tailored memory solutions. Learn how HBM3E and GDDR6 provide the high performance demanded by the next wave of AI applications.

关于 HBM 的常见问题

HBM 是一种高性能内存标准,采用数据速率相对较低的 1024 位宽接口,以优异的能效实现极高带宽。

HBM3 内存将数据速率提升到 6.4 Gb/s,实现每 HBM3 内存设备 819.2 GB/s 的带宽。Rambus HBM3 数字控制器能够以 9.6 Gb/s 运行,提供额外的设计裕度。

HBM 内存提供了优异的带宽和容量以及卓越的能效,是人工智能/机器学习训练工作负载的理想解决方案。

为了实现其高带宽,HBM 使用 1024 位宽数据接口。这远远超过了传统 (2D) 内存解决方案所使用的标准 PCB 上所能支持的位宽。因此,HBM 采用了硅中介层进行非常精细的线路蚀刻。此结构称为 2.5D。此外,HBM 使用 3D 堆叠内存设备,为 HBM 带来 2.5D/3D 架构。

HBM3 内存非常适合数据密集型应用,例如人工智能/机器学习、图形和 HPC,这些应用需要以非常高的带宽处理大量数据。

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