DDR4 暫存時脈驅動器
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DDR4 暫存時脈驅動器如何運作
隨著業界對更多、更快資料的永不滿足的需求,對記憶體運算的需求急劇上升。我們最近從 Inphi 收購而來的 DDR4 RCD (iDDR4RCD-GS02) 專為速度、可靠性和功率效率而打造,可滿足即時的記憶體密集型應用的需求。 DDR4 RCD 是 RDIMM 和 LRDIMM 這兩類伺服器記憶體模組的關鍵元件。 具有奇偶校驗的 iDDR4RCD-GS02 32 位元 1:2 暫存時脈驅動器專為 1.2 V VDD 操作而設計。 所有輸入都是具有外部或內部電壓參考的偽差分輸入。所有輸出均為全擺幅 CMOS 驅動器,經過最佳化,可驅動 DDR4/DDR4L RDIMM 和 LRDIMM 應用中的單端接 25 至 50 歐姆跡線。時脈輸出 Yn_t 和 Yn_c 以及控制網路輸出 QxCKEn、QxCSn 和 QxODTn 能夠以不同的強度進行驅動,以補償不同的 DIMM 網路拓撲。可透過停用未使用的輸出來減少功率耗用。 iDDR4RCD-GS02 暫存器從一個差分時脈(CK_t 和 CK_c)運作。輸入在 CK_t 變成高電位和 CK_c 變成低電位的交叉點處暫存。輸入訊號可以重新驅動到輸出,也可以在滿足某些輸入條件時用於存取裝置內部控制暫存器。
資料中心演變:DDR5 DIMM 進階伺服器效能
在多種大趨勢的共同推動下,全球資料流量正呈指數級成長。例如,5G 網路使數十億 AI 支援的 IoT 裝置從有線網路轉向無線。任何事物都無法比資料中心更能感受到這種成長的影響。實際上,超大規模資料中心已成為全球資料網路的關鍵集線器。DDR5 DRAM 將推動新世代伺服器系統為超大規模和企業資料中心提供巨大運算能力。了解 DDR5 記憶體的優勢以及實現 DDR5 DIMM 的設計考量。解決方案
功能
應用程式
功能
- 完全符合最新的 JEDEC DDR4RCD02 標準
- 同時在 RDIMM 和 LRDIMM 中使用
- 2V 電源電壓
- 運作速度高達 2666 Mbps
- 基於多設定頻率的功率最佳化
- 寬溫度範圍:-5° C – 125° C
- 符合 ROHS
- 改進了 ESD/EOS,已超出 JEDEC 要求
應用程式
- 高效能伺服器
- 高效能工作站
- 高容量儲存系統
- 高可靠性和電信系統
- DDR4 JEDEC 標準 RDIMM 設計
- DDR4 JEDEC 標準 LRDIMM 設計(與 Inphi iDDR4 DB 相結合)
高速記憶體介面晶片組顯著提升伺服器效能
對伺服器效能的需求以驚人的速度持續成長。隨著摩爾定律的影響開始放緩,強化當今雲端服務和進階分析工具功能的大型記憶體資料庫提出了新的要求。高速伺服器記憶體介面晶片組領域出現了一個新的重大機會,可實現高速記憶體效能,而不會有損記憶體容量。想要最佳化伺服器記憶體架構設計和改善整體伺服器效能與可靠性的公司應認真考慮經過最佳化的 DDR4 記憶體介面晶片組,其可增強伺服器記憶體模組的效能。From the blog
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