DDR4 数据缓冲器

与我们最近从 Inphi 收购的 DDR4 寄存器时钟驱动器 (RCD) iDDR4RCD-GS02、DDR4 数据缓冲器 (DB) iDDR4DB2-GS02 相结合时 ，可使 DDR4 低负载双列直插式内存模块 (LRDIMM) 提供高带宽性能，容量是 DDR4 带寄存器 DIMM (RDIMM) 的两倍。

该数据缓冲器旨在满足实时内存密集型应用的苛刻要求，速度达到 2400 Mbps，提升了性能和裕度，同时为未来数据速率达到 2666 Mbps 提供内置支持。当内存通道采用多个 LRDIMM 以达到最大系统容量时，可以实现最高速度和稳健运行。

带有差分选通脉冲的 iDDR4DB2-GS02 双 4 位双向数据寄存器专为 1.2V VDD 运行而设计。该设备配有连接到内存控制器的双 4 位主机总线接口和连接到两个 x4 DRAM 的双 4 位 DRAM 接口。还配有连接到 DDR4 寄存器的纯输入控制总线接口。该接口包含一个 4 位控制总线、两个专用控制信号、一路参考电压输入和一路差分时钟输入。

所有 DQ 输入均为带有内部参考电压的伪差分输入。所有 DQ 输出均为经过优化的 VDD 端接驱动器，可以驱动 DDR4 LRDIMM 应用中的单端或双端传输线。差分 DQS 选通脉冲用于DQ 输入采样，并在 DDR4 数据缓冲器中再生，驱动设备另一侧的 DQ 输出。