DDR4 資料緩衝器

該資料緩衝器旨在滿足即時、記憶體密集型應用的高度要求，在 2400 Mbps 時可提供增強的效能和餘裕，並內建對高達 2666 Mbps 的未來資料速率的支援。當在記憶體通道內填充多個 LRDIMM 以獲得最高系統容量時，這可以實現最高速度和穩健運作。

iDDR4DB2-GS02 雙 4 位元雙向資料暫存器帶有差分選通脈衝，專為 1.2 V VDD 操作而設計。該裝置帶有連線到記憶體控制器的雙 4 位元主機匯流排介面和連線到兩個 x4 DRAM 的雙 4 位元 DRAM 介面，還具有連線到 DDR4 暫存器的僅輸入控制匯流排介面。此介面包含一個 4 位元控制匯流排、兩個專用控制訊號、一個電壓參考輸入和一個差分時脈輸入。

所有輸入都是具有內部電壓參考的偽差分輸入。所有 DQ 輸出都是 VDD 端接驅動器，經過最佳化，可驅動 DDR4 LRDIMM 應用中的單端接或雙端接跡線。差分 DQS 選通脈衝用於對 DQ 輸入進行取樣，並在 DDR4 DB 中重新產生，以驅動裝置另一側的 DQ 輸出。

時脈輸入 BCK_t 和 BCK_c 用於對控制輸入 BCOM[3:0]、BCKE 和 BODT 進行取樣。BCOM[3:0] 輸入用於寫入裝置內部控制暫存器。

iDDR4DB2-GS02 還支援用於 ZQ 校準和奇偶校驗錯誤警示的專用引腳。